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目前共有4人回覆，最後回覆時間：

 　 許耀忠　 2004-12-27 08:38:15
[1] igbt並聯先注意NPT or PT & Vce(sat). [2] mosfet並聯注意Rds(on). 以上希望對您有幫助! 此類書籍在重慶南路均有售才對!

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 　 林星諭　 2004-12-27 09:28:39
並聯之後須注意 Driver 能力的大小 , 足不足夠? 以免並聯之後功率元件導通時間更慢 , 最差的情況有可能會因為操作在線性區的時間太長而燒毀 .

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 　 姜林政宏　 2005-01-05 11:38:38
並聯之後 你所需要驅動的GATE數增多 所以你的DRIVER必須 有足夠的能力來提供這些電流. 驅動MOSFET GATE的IC有滿多種的 例如HIP4081

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 　 林昭炫　 2005-01-07 11:29:23
MOSFET 或 IGBT等的並聯問題更需要注意LAYOUT上的問題，重點是要如何能夠同時導通及截止，以及導通時汲極電流的同等分流問題，還有從DRIVER至GATE端的等效阻抗最好相同可提高同時導通之效果。可以參考建興出版社的電功率MOSFET應用技術。

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