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 　 林科文　 2014-08-05 15:34:35
一、MOS會發燙有很多原因: 1. 是Vds壓降太大，原因可能是工作電壓範圍很廣，在低電壓段Vgs電壓太低(譬如不足10V)。對策是G-S兩端增加限壓功能，提早到達驅動電位。 2. 信號經過光耦合的處理後波形失真，變成不是0與1的數位信號。對策是要注意給光偶合IC的信號要有SPEED-UP以及足夠驅動電流，消雜訊的設計也不能免除。 3. 輸入MOS的閘極信號受到干擾產生雜訊太多導致MOS開-關不正常。通常是地線分布不正確導致大電流動作時，EMI信號到處亂竄。對策是要注意不同信號迴路要有自己的共地端。 4. D-S兩端消火花電路數值不正確。反電動勢過高也會導致MOS消耗功率上升而發燙。 二、LED亮度不均那是線路設計問題，譬如LED和光偶合電路串聯，導致迴路中分壓給LED的端電壓分配不對等，或是其他情形LED端電壓雖然相等但是流入LED個別的電流不對等。 以上提供參考

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