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 　 黃金棟　 2006-06-14 15:17:00
n-MOSFET內部為負溫度係數電阻,p-MOSFET內部為正溫度係數電阻.n-MOSFET不能並聯使用.p-MOSFET可並聯使用.

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 　 彭鴻鈞　 2006-06-14 16:25:51
Dear abc: 感激您的回覆,我又多學了一些. 若按照您的說法,當溫度提高的時候,n-MOSFET的電流驅動能力會上升,而p-MOSFET則相反.在此種情況之下,市面上所售之n-MOSFET是否有可能因電流上升-->溫度上升-->電流上升-->溫度上升 此惡性循環導致n-MOSFET燒毀呢?還是市售之power mosfet有對過電流做保護? 我還有一個使用p-mosfet的問題想請教一下.我認為p-mosfet對vdd noise的抵抗力較差.而在終端產品的應用上,用p-mosfet是否會使motor遭遇到很大干擾而產生一些不好的地方?

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 　 黃金棟　 2006-06-14 18:29:49
什麼東西用在什麼地方,設計者應該知道.不好的東西廠商應該會知所進退! p-mosfet在電流不足時.可以並聯一顆.不會因匹配阻抗不同而產生燒毀.n-mosfet並聯則會因匹配阻抗不同而燒毀.p-mosfet因溫度的上升內電阻升高.當然會比n-mosfet因溫度上升內阻下降干擾比較大.但p-mosfet在同一的電壓及電流下.價錢比較便宜.

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