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本篇主題：閘極驅動電壓
請問各位先進MOFET與IGBT的理想驅動電壓為何? 10V, 12V, 15V or 18V, 閘極短路的主要原因為何？　謝謝各位的寶貴意見．

本話題由 陳正虎 於2004-10-02 00:00:00 發表 
目前共有2人回覆，最後回覆時間： 2004-10-02 19:11:00

 閘極驅動電壓　 李文榮　 2004-10-04 09:31:13
理想電壓是依據元件廠商所提供的資料來設定，通常有保護的IGBT，其電壓需在10V~20V之間，低於10V會不工作。 要知道詳細的技術資料可去IR的網站上看。大体來說，通常是電感性負載所造成的。也就是反向電壓使閘極短路，或是耐壓不足所致。

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 閘極驅動電壓　 許欽俊　 2004-10-05 13:31:15
DG間,有一Cdg雜散電容與Rgs構成微分電路,當mosfet on/off時 又是電感性之負載時,會產生兩倍之電動勢至微分電路,引至 閘極,如果此pulse過大,超出Vgs之額定耐電壓時,則會打穿閘極, 保護之方式,則加電阻,令Rgs變小,及加入齊納二極体穩定Vgs 一定之電壓之去除負電壓

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