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本篇主題：MosFET與IGBT閘極電阻之選配
請問各位先進，MosFET與IGBT之閘極電阻該如何選配，如何防止元件之閘極受損，謝謝各位不吝指正．　

本話題由 陳正虎 於2004-09-15 00:00:00 發表 
目前共有1人回覆，最後回覆時間： 2004-09-15 13:17:00

 MosFET與IGBT閘極電阻之選配　 李文榮　 2004-09-15 13:26:15
基本上，要依IGBT首MOSFET製造廠所提供的資料來作。(大約<100) 閘極電阻是在限制前一級的輸出電流，但主要是為了改善IGBT等的ON/OFF時間問題，特別是用於有上下臂的迴路(如無刷直流馬達的驅動器)，以降低上下臂短路的機會。

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