返回討論區
 列印本文 　
本篇主題：MOSFET改用IGBT
請問各位先進若將現有電動機車的驅動級由MOSFET改為IGBT模組, 是否可行, 有無任何缺點??? 謝謝各位寶貴的意見．

本話題由 陳正虎 於2003-12-15 00:00:00 發表 
目前共有10人回覆，最後回覆時間： 2004-09-08 16:15:50

 MOSFET改用IGBT　 李文榮　 2003-12-16 11:53:18
當然可行，只是價格上較高些。需注意IGBT的PWM頻率限制。

top

 MOSFET改用IGBT　 許耀忠　 2003-12-17 19:59:10
1> mosfet改用igbt--明智之舉. 2> igbt優點--比mosfet耐衝擊, ssoa寬. 3> 現在已有mosfet接近300khz之產品. 4> igbt導通阻抗低, loss低.

top

 MOSFET改用IGBT　 康基宏　 2003-12-23 08:05:09
據聞可靠度高,效率低.

top

 MOSFET改用IGBT　 許耀忠　 2003-12-26 13:16:36
效率低是上古時代產品, 現在已有所突破, maximum 300khz, low conduction loss & low switching loss, 如有需要請e-mail給我syj56420@ms23.hinet.net, 我可提供相關資料!

top

 MOSFET改用IGBT　 許欽俊　 2004-06-07 01:40:48
IGBT與 POWER MOSFET 在產品應用上,各有各的千秋. 今如果應用在電動車上,那麼我拿實例兩家台南公司來說.基Ｘ與藍Ｘ之電動車來比較 續航力最久是基Ｘ第一代,其次是第二代,最後是藍Ｘ 後級最常故障是基Ｘ第一代 低速會抖動是藍Ｘ,基Ｘ完全不會 啟動有力:基Ｘ第一代,其次是藍Ｘ,最後是基Ｘ第二代 爬波有力:基Ｘ第一代,其次是藍Ｘ,最後是基Ｘ第二代 (未啟動加速鍵時} 爬波有力:基Ｘ第一代,其次是基Ｘ第二代,最後是藍Ｘ (啟動加速鍵時} (以上測試,是本人購買基Ｘ一,二代,藍Ｘ測試結果,不 代表我的言論是正確,僅供參考) 分析: 基Ｘ一二代之後級全是一致,未改變,皆是 MOSFET,唯二代改成 DSP,及後輪轉軸更改結構,其一二代之結果如下 第一代我每半年必須更換一次驅動器(因MOSFET故障) 總共換了二次驅動板,第三次故障了,只好貼上X萬元,換上新的第二代電動車即 DSP 控制之電動車 第二代與第一代相同點是後級不換,只換上 DSP電路及後輪改良之轉軸,說也奇怪,換上快一年,除了續航力變小,停紅綠燈再啟動及爬波變無力外,到現在也沒故障過,不曉得是因改DSP,在對上下臂控制得好(不致於短路),還是後軸改良之結果,但聽說後軸之改良,還是某某經銷商強力推荐,在未受基益採用前,其自行在第一代有改良實驗過,我想是後軸改良是最大之功臣,否 則基Ｘ不會如此發大筆錢重改機構(想像) 至於藍Ｘ是用 IGBT ,其缺點是續航力很低,但優點是未聽過 IGBT 故障過,會故障的皆是非IGBT本身,而是其它電路,在抖動上,應該是硬体設計時未加於注意,基Ｘ是採六步弦波,藍Ｘ是六步方波,這可能是關鍵所在.

top

 MOSFET改用IGBT　 dimi　 2004-06-15 22:50:42
振動是因為正弦波和方波的差異造成 續航力變低是因為高頻PWM造成Motor實際有效功率較原低頻PWM低 是不是這樣子? 而原mosfet最容易燒掉的時候是不是在起動的時候?

top

 MOSFET改用IGBT　 汪詠欽　 2004-06-17 14:11:44
mosfet 非常容易燒燬!! 但是!!IGBT的價格實在很高!! 不過~小弟也是利用IGBT來做驅動!

top

 MOSFET改用IGBT　 許欽俊　 2004-06-21 00:15:03
續航力變低是因為高頻PWM造成Motor實際有效功率較原低頻PWM低是不是這樣子? 而原mosfet最容易燒掉的時候是不是在起動的時候? 第一二代之 pwm 皆一致且後級不變,其續航力變低 具我分析,DSP佔絕對之因素,第一代是專用IC 而MOSFET最容易燒掉,當然起動是佔主因,但急煞車時也會燒掉,加速器忘了關也會燒掉 但第二代,MOSFET存在,但這此因素全不見,是因改DSP之關係,還是改後輪傳動之關係,實在必須發時間去研究,或許改天有空我會找相關人員,問清楚就知道答案

top

 MOSFET改用IGBT　 許耀忠　 2004-06-22 12:55:58
[1] MOSFET因高溫造成Rds(on)持續快速上升,造成負載承受能力快速降低.如有並聯則會造成每一元件導通時間不一, 當然持續燒毀. [2] IGBT Rds(on)不會因高溫而升高,呈現穩定狀態,只須注意散熱問題及市面PT & NPT之分類對並聯之影響. [3] MOSFET耐衝擊較低,IGBT耐衝擊及SSOA寬廣. [4] 高效率MOSFET價格貴,IGBT就不見得貴. [4] 以現一點建議注意事項, 尚有許多可能因素,但文多不及備載,因負載不同當然配備就不同,注意事項也會不同,例如: 1>無刷OR有刷馬達. 2>切換頻率高低. 3>緩衝保護電路. 4>過壓OR過流之保護. ................................ 歡迎在此網站交流OR來函指教!

top

 MOSFET改用IGBT　 林瑞禮　 2004-09-08 16:15:50
Since the Vce of power IGBT is usually greater than 2V, IGBT is not good for the low-voltage DC bus system. The conduction loss of IGBT is calculated by Ice(avg)*Vce; however, the conduction loss of MOSFET is calculated by Ids(rms)^2*Rds(on).

top

欲回應此篇文章，請先登入!