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本篇主題：馬達三相線電阻與功率晶體的選用如何匹配
各位先進大家好 我的問題是有關馬達三相線電阻(或相電阻)與功率晶體(MOSFET/IGBT)的選用與匹配?

本話題由 李志勇 於2003-05-22 00:00:00 發表 
目前共有3人回覆，最後回覆時間： 2003-06-11 14:07:19

 馬達三相線電阻與功率晶體的選用如何匹配　 蔡明達　 2003-05-28 14:29:10
1. 請先了解線電阻與相電阻的由來,是由各相線圈的匝數及線徑所得到的結果值，並非設計的參數 2. 線圈所需的匝數及線徑 是由馬達的輸出功率及所需的電功率來決定(Pe=I*E=Pm=W*Te W:馬達角速度 Te:馬達輸出轉矩 Pe:所需的電功率 Pm:馬達輸出功率) 3. 由上述的基本原理推導 MOSFET與IGBT 的選用與馬達所需的消耗電流有直接關係 4. 再來要依所需的電流及電壓來決定功率晶體的S.O.A.(安全操作領域)決定適用的規格

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 馬達三相線電阻與功率晶體的選用如何匹配　 盧志榮　 2003-05-29 17:28:45
當然也得注意功率電晶體的Ron，Ron愈小耗損愈小。

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 馬達三相線電阻與功率晶體的選用如何匹配　 王銘聖　 2003-06-11 14:07:19
請問各位先進可否以實例計算方式說明使用的電晶體適不適用呢?

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