1. IPM 中ESD的耐壓有IGBT及Drive IC兩種不同規程, 但是IGBT的半導體製程由於採用教高線寬設計, 一般比較不重要, 但是現在有些IGBT 已經採用1um的Design Rule, ESD應當會慢慢的有影響, 而目前的主要發生應是在Drive IC處, 一般的ESD並不能只是看耐壓, 還要看放電Modle, 常見的有HBM/MM/CDM三種以半導體來說他們的ESD規格分別為1KV/250V/450V, 而三菱的PS系列會在他們的Application Note中秀出測試方式, 但並未明講出ESD的規格;在DIP-IPM Ver 3之前的測試規格是1KV, 但是Ver 3.5/4只標為 200V,
至於那種放電Model並未標出, 但由其測試方式, 我認為應當是MM, 至於ESD的防治在生產中可以注意:
1.電烙鐵的烙鐵頭應良好接地:一般來說外熱式電烙鐵的烙鐵頭與其地線連接比較緊密,若採用內熱式電烙鐵,請保証其烙鐵頭能夠良好接地;
2.使設備(包括測試儀器)接地;
3.工作台應鋪防靜電桌墊(導電毯),並接地;
4.作業人員應帶防靜電手套和防靜電環(接地),穿防靜電鞋;
5.作業區地面應鋪設防靜電地墊(導電毯),並接地;
6.採用設備地線和人體地線兩條不同地線;
7.各接地部份實際上都是藉由一個1MΩ的電阻接地;
8.在搬運、焊接等過程中應避免手直接接觸模組的控制端子,同時避免非工作人員接觸工作台(IPM模組)。
9.運輸和儲存時,不要採用易帶靜電的容器。
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